WWW.METODICHKA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Методические указания, пособия
 
Загрузка...

Pages:   || 2 |

«ОПТИКО-ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ Методические указания к лабораторным работам по дисциплинам «Оптико-физические методы исследований», «Оптико-физические методы исследования ...»

-- [ Страница 1 ] --

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

________________________________

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет «ЛЭТИ»

____________________________________

ОПТИКО-ФИЗИЧЕСКИЕ

МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ

Методические указания к лабораторным работам

по дисциплинам «Оптико-физические методы исследований»,

«Оптико-физические методы исследования материалов и тонкопленочных структур»



Санкт-Петербург Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

УДК 535.36.001.2(076.3) Оптико-физические методы исследований: Методические указания к лабораторным работам по дисциплинам «Оптико-физические методы исследований», «Оптико-физические методы исследования материалов и тонкопленочных структур» / Сост.: А. М. Василевский, Г. А. Коноплев, М. Ф. Панов.

СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. 56 с.

Содержат описания лабораторных работ по оптико-физическим методам исследований. Приведены основные сведения и методики исследований в области спектральных и поляризационных измерений. Рассмотрена методика градуировки и калибровки многоканальных спектроанализаторов, методика расчета ширины запрещенной зоны методом абсорбционного спектрального анализа и метод эллипсометрии для расчета толщины пленки на диэлектрической подложке.

Предназначены для магистрантов, обучающихся по программам «Квантовая и оптическая электроника», «Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика», для бакалавров, обучающихся по профилю «Квантовая и оптическая электроника», для специалистов и преподавателей вузов, повышающих квалификацию по программе «Тонкопленочная солнечная фотоэнергетика», а также могут быть полезны инженерно-техническим работникам, специализирующимся в области квантовой и оптической электроники.

Методические указания подготовлены в рамках выполнения проекта по разработке и апробации программы опережающей профессиональной переподготовки и учебно-методического комплекса, ориентированных на инвестиционные проекты по производству солнечных модулей на базе технологии «тонких пленок» Oerlikon, финансируемого Фондом инфраструктурных и образовательных программ.

Утверждено редакционно-издательским советом университета в качестве методических указаний © СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011 Введение Оптико-физические методы исследований в настоящее время широко используются при разработке и исследовании новых материалов и структур, в том числе с использованием нанотехнологий.

Лабораторные работы, описанные в данных методических указаниях, направлены на освоение студентами методов абсорбционной спектрометрии и отражательной эллипсометрии с применением современной спектральной аппаратуры. Описания работ содержат теоретическое введение, упрощенные схемы и технические характеристики используемых приборов, задания для выполнения, требования к содержанию отчета, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. В приложениях приведено описание специализированных программ для автоматизированной обработки спектральной информации, связанной с градуировкой, калибровкой и применением многоканальных спектроанализаторов.

При выполнении работы каждый студент оформляет отчет, который должен содержать:

1) схемы установки для исследований;

2) результаты исследований в виде таблиц и графиков;

3) формулы, по которым производились расчеты, и примеры расчетов;

4) выводы по проделанной работе, включающие в себя критический анализ полученных результатов.

–  –  –

Цель работы: изучение методики градуировки многоканального спектроанализатора (диспергирующий элемент – вогнутая дифракционная решетка) по линиям излучения ртути и гелия.

1.1. Общие сведения Рассмотрим основные этапы получения и обработки спектральной информации на примере решения задач, связанных с абсорбционным спектральным анализом.

Абсорбционный спектральный анализ, основанный на исследовании спектрального состава излучения, прошедшего через анализируемую среду, обладает целым рядом преимуществ – он неконтактен, безопасен для обслуживающего персонала, при применении проточных кювет может быть использован в режиме автоматизированного контроля процессов поглощения в реальном масштабе времени (в режиме «on-line»).

Измерительный тракт автоматизированных спектральных информационно-измерительных систем базируется на измерении спектрального распределения потока излучения, прошедшего через среду, и представлении этого распределения в удобном для анализа виде. Рассмотрим основные положения абсорбционного спектрального анализа.





1.1.1. Основные положения абсорбционного спектрального анализа.

Закон Ламберта–Бера–Бугера Абсорбционная спектроскопия основана на законе Ламберта–Бера–Бугера, согласно которому интенсивность монохроматического излучения I, прошедшего через среду с толщиной слоя d и концентрацией C, определяется соотношением I I 0 exp Cd, где I 0 – интенсивность падающего монохроматического излучения; – спектральный коэффициент экстинкции (ослабления).

Если толщина слоя d выражена в сантиметрах, а концентрация в молях на литр, то называют молярным коэффициентом экстинкции с единицей измерения литр на моль-сантиметр.

–  –  –

ПК Рис. 1.1. Структурная схема однолучевого спектрофотометра – полихроматора на основе вогнутой дифракционной решетки с многоэлементным приемником В лабораторных работах 1 и 2 исследования проводятся на макете многоканального спектроанализатора, который построен по схеме Роуланда с вогнутой дифракционной решеткой и многоэлементным ПЗС-фотоприемником. Структурная схема прибора (рис. 1.2) включает в себя осветительную систему, полихроматор, приемно-регистрирующее устройство и персональный компьютер.

В состав осветительной системы входят 2 источника света: дейтериевая лампа ДДС-30 1 и лампа накаливания 2, а также сферическое осветительное зеркало 3, поворотом которого осуществляется выбор источника. Дейтериевая лампа предназначена для работы в УФ-области, лампа накаливания используется для видимой области спектра.

Полихроматор Блок источников 6

–  –  –

Рис. 1.2. Структурная схема макета многоканального спектроанализатора   Сфокусированный сферическим зеркалом 3 пучок проходит через кювету 4 с исследуемой средой и направляется на входную щель полихроматора

5. Далее, отразившись от плоского зеркала 6, свет попадает на вогнутую дифракционную решетку 7. Отразившись от решетки, излучение разлагается в спектр, который фокусируется на ПЗС-линейке приемно-регистрирующего устройства 8, состоящей из 512 элементов.

Выходной сигнал с ПЗС-линейки поступает на контроллер, который усиливает его и преобразует в цифровой код. В контроллере применен 10-разрядный АЦП, погрешность преобразования которого U U пит 1024. Затем сигнал в виде цифрового кода направляется в LPT-порт персонального компьютера, оснащенного специализированным программным обеспечением.

Спектр сохраняется в памяти компьютера в виде текстового файла с расширением.spe, который содержит начальную и конечную длины волн рабочего спектрального интервала, а также 512 дискретных значений коэффициента пропускания, соответствующих каждому из каналов фотоприемника.

Минимальный промежуток времени, который требуется для регистрации одного спектра, составляет 8 мс. В реальных условиях для достижения необходимого уровня сигнала на выходе ПЗС экспозицию (время накопления заряда) увеличивают в 10…20 раз от минимального значения. Кроме того, для уменьшения влияния шумов проводится усреднение по нескольким (от 1 до 20) последовательно полученным представлениям спектра. С учетом накопления и усреднения время одного измерения не превышает 2 с.

Перед началом записи спектров регистрируются и фиксируются в памяти ПК темновой сигнал ПЗС и сигнал, соответствующий уровню 100 %-го пропускания. Темновой сигнал измеряется при закрытой заслонке монохроматора, уровень 100 %-го пропускания при установленном в кюветное отделение прибора эталоне (при исследовании растворов эталоном служит кювета с растворителем). При этом коэффициент пропускания вычисляется компьютером в соответствии с формулой I I T T, I 0 IT где IT – интенсивность, соответствующая темновому сигналу; I – интенсивность излучения, прошедшего через исследуемую среду; I 0 – интенсивность излучения, прошедшего через эталон.

–  –  –

  тельную интенсивность, принимая во внимание, что они могут наблюдаться также во втором или третьем порядке дифракции. Кроме того, некоторые линии слабой интенсивности часто не видны из-за наличия фонового излучения.

По найденным парам значений: длина волны – номер канала n методом наименьших квадратов проводится линейная аппроксимация зависимости n a bn, затем строится градуировочная прямая и определяются точные границы рабочего спектрального диапазона, соответствующие первому и последнему элементам фотоприемника. Использование линейной аппроксимации вполне оправданно, так как ПЗС-линейка установлена вблизи нормали и линейную дисперсию можно считать постоянной во всем рабочем спектральном диапазоне.

1.3. Вогнутая дифракционная решетка Рассмотрим оптическую схему полихроматора с вогнутой дифракционной решеткой. Входная щель, решетка и фотоприемник (ПЗС-линейка) помещаются на окружности радиусом, равным половине радиуса кривизны решетки, называемой кругом Роуланда (рис. 1.3).

–  –  –

  где S расстояние от изображения входной щели на поверхности фотоприемника до центра решетки; R радиус кривизны решетки; N1 – число штрихов решетки на миллиметр длины.

Условие главных максимумов дифракционной решетки имеет вид b sin sin m, (1.1) где, – углы падения и дифракции соответственно; b период решетки;

m порядок спектра. В спектрофотометрах обычно используется один из порядков спектра (чаще всего первый), называемый рабочим порядком.

Из выражения (1.1) следует, что при постоянном угле падения излучения, распространяющегося от входной щели, в рабочем порядке m каждому элементу n фотоприемника соответствует определенный угол дифракции, однозначно связанный с длиной волны. Тогда для малых углов можно записать m m или n или n a cn. (1.2) b b Если определена длина волны излучения, то по формуле (1.2) при известных a и с можно определить номер фотоприемника, на который направляется излучение.

1.4. Задания и указания к их выполнению Задание 1.1. Измерить линии излучения ртути и гелия.

Установить в осветительное отделение макета полихроматора ртутногелиевую лампу ДРГС-12, включить прибор и ПК.

Запустить на исполнение базовую программу управления прибором. Открыть заслонку и получить на экране монитора линейчатый спектр излучения лампы.

Выставить время накопления заряда в ПЗС (регулятор Чувствительность в окне калибровки), при котором для наиболее интенсивной полосы в спектре обеспечивается уровень сигнала, соответствующий полной шкале АЦП.

Сохранить линейчатый спектр излучения лампы ДРГС-12 в файле spectr1.spe.

При градуировке для упрощения процедуры используются дополнительные фильтры (нормали III класса) – УФС-360 и стекло, спектр пропускания которых приведен на рис. 1.4 (Т – коэффициент пропускания).

Поместить перед входной щелью фильтр УФС-360 и сохранить линейчатый спектр излучения лампы ДРГС-12, прошедший через фильтр, в файле spectr2.spe.

  100 Т, %

–  –  –

, нм Рис. 1.4. Спектральное пропускание фильтров УФС-360 и стекла Поместить перед входной щелью стеклянный фильтр и сохранить линейчатый спектр излучения лампы ДРГС-12, прошедший через стеклянный фильтр, в файле spectr3.spe.

Задание 1.2.

Провести предварительный анализ выполненных измерений линий излучения ртути и гелия.

Пользуясь данными о линиях излучения гелия и ртути (см. табл. 1.2), идентифицировать пики в наблюдаемом спектре.

Пользуясь программой SA8 и данными файла spectr2.spe по наблюдаемым трем линиям излучения составить таблицу, связывающую номер канала и длину волны. Затем построить график и аппроксимировать зависимость длины волны от номера канала прямой линией n a cn. Построение графика, аппроксимация и вычисление аналитических коэффициентов a и c выполняются в программе MS Excel либо в любом математическом пакете (Mathcad, Statistica и др.).

Из полученной зависимости определить границы рабочего спектрального диапазона, соответствующие первому и последнему элементам фотоприемника n0 и. n511.

Задание 1.3.

Провести градуировку прибора.

Просмотреть файл spectr1.spe в блокноте и заменить первую строку файла на длину волны первого канала, а вторую строку – на длину волны последнего канала. Сохранить файл с расширением *.spe как spectr1a.spe.

  Пользуясь программой SA8 по данным файла spectr1a.spe для всех наблюдаемых в спектре spectr1a.spe линий излучения составить таблицу, связывающую номер канала и рассчитанную по предварительной градуировке длину волны. Затем построить график полученной зависимости и вторично аппроксимировать зависимость длины волны от номера канала прямой линией n a bn. Построение графика и аппроксимация и вычисление аналитических коэффициентов a и b выполняются в программе MS Excel.

Задание 1.4.

Проверить качество градуировки и найти линии излучения второго порядка.

По уточненной градуировке составить таблицу длин волн для всех линий излучения, наблюдаемых на спектрограмме spectr1a, и идентифицировать их с данными табл. 1.2. Определить линии излучения, которые появляются во втором порядке. Для этого просмотреть в программе SA8 спектр spectr3a, выделить линии излучения, которые исчезают на этой спектрограмме, и рассчитать для них длину волны излучения второго порядка: m 2 2 m 1.

Содержание отчета

В отчете следует представить:

1. Описание принципа действия и измерительного тракта автоматизированного спектроанализатора.

2. Результаты измерений спектров излучения лампы ДРГС-12.

3. Результаты проведения градуировки по длинам волн:

– таблицу, содержащую пары значений длина волны – номер канала для идентифицированных линий (в том числе для линий, наблюдаемых во втором порядке дифракции);

– аппроксимирующую функцию n a сn ;

– градуировочную прямую;

– точные границы рабочего спектрального диапазона.

Для просмотра спектров в графической форме и проведения операций с ними использовать программу Spectral Assistant 8.0.

Контрольные вопросы

1. Основные положения абсорбционного спектрального анализа.

2. Каков принцип работы автоматизированных многоканальных полихроматоров?

3. Каковы особенности вогнутой дифракционной решетки, что такое круг Роуланда?

 

4. Каковы причины переналожения спектров разных порядков?

5. Каким образом проводится градуировка многоканальных спектрофотометров по длинам волн?

Список рекомендуемой литературы Зайдель А. Н., Островская Г. В., Островский Ю. И. Техника и практика спектроскопии. М.: Наука, 1976.

Матвеев А. Н. Оптика. М.: Высш. шк., 1985.

Евтихиев Н. Н. Информационная оптика. М.: Изд-во МЭИ, 2000.

Оптико-электронные приборы для научных исследований / Под ред.

Л. А. Новицкого. М.: Машиностроение, 1986.

Эпштейн М. И. Спектральные измерения в электровакуумной технике.

М.: Энергия, 1970.

Лабораторная работа № 2

МЕТОДИКА ОЦЕНКИ СИСТЕМАТИЧЕСКИХ

И СЛУЧАЙНЫХ ПОГРЕШНОСТЕЙ СПЕКТРАЛЬНЫХ ИЗМЕРЕНИЙ

МНОГОКАНАЛЬНЫМ СПЕКТРОАНАЛИЗАТОРОМ

Цель работы: исследование погрешности расчета коэффициента поглощения (экстинкции) среды с учетом накопления по результатам измерений коэффициента пропускания.

В работе изучается методика измерения спектров пропускания объектов на многоканальном спектроанализаторе и измеряются фоновые и темновые сигналы при различных накоплениях. Исследуются также методы и способы повышения точности измерений: установка длительности экспозиции и числа накоплений сигнала, оценка относительной погрешности определения коэффициента поглощения по спектрам пропускания.

Общие сведения Перед началом измерений спектрального коэффициента пропускания исследуемой среды проводится калибровка прибора, при которой :

1) регистрируется и записывается в память ПК темновой сигнал каждого канала ПЗС-линейки фотоприемников;

2) сигнал, соответствующий уровню 100 %-го пропускания для каждого канала.

Темновой сигнал IT измеряется при закрытой заслонке монохроматора. Уровень 100 %-го пропускания I 0 при установленном в кюветное отделение прибора эталоне. При исследовании растворов эталоном служит кювета с растворителем, при исследовании пленок – материал подложки, при исследовании подложки – воздух.

Процедура записи темнового тока и 100 % сигнала может осуществляться автоматически при каждом измерении коэффициента пропускания в реальном масштабе времени либо периодически при разовых измерениях.

Считывание информации сигналов фотоприемников после калибровки проводится каждые 8 мс. При этом коэффициент пропускания (в процентах) вычисляется компьютером в соответствии с формулой I t I T t0 T 100, (2.1) I 0 t0 I T t0 где IT t0 – интенсивность, соответствующая темновому сигналу в момент записи темнового тока; I t – интенсивность излучения, прошедшего через исследуемую среду в данный момент времени; I 0 t0 – интенсивность излучения, прошедшего через эталон в момент записи 100 % сигнала.

Темновой ток фотоприемника можно представить как сумму сигналов фонового излучения (засветки и рассеянное излучение внутреннего объема полихроматора) и хаотических флуктуаций, т. е. случайных сигналов, генерируемых каждым фотоприемником. Фоновые засветки медленно изменяются со временем, и при стабильной температуре прибора их можно считать постоянными.

Любая величина, характеризующая работу приемника (напряжение, ток, сопротивление и т. д), флуктуирует по случайному закону около своего среднего значения, называемого собственным шумом приемника. Закон распределения случайной величины во многих случаях хорошо аппроксимируется нормальным (гауссовским) законом распределения f ( x) (1 / 22 )e( x x ) /(2 ), где – стандартное отклонение; x – среднее значение (математическое ожидание) случайного сигнала.

При экспериментальных исследованиях вероятностных характеристик шума обычно используется усреднение по аргументу для одной из реализаций случайной величины, заданной по достаточно большому интервалу, длина которого столь велика, что результаты измерений существенно не отличаются от результатов, полученных внутри еще большего интервала. Для эргодических случайных функций среднее по аргументу на достаточно большом участке наблюдения с вероятностью, сколь угодно близкой к единице, равно среднему по множеству наблюдений. При нормальном законе распределения выброс шума не превышает 3 Значение темнового сигнала каждого фотоприемника носит случайный характер и зависит от момента считывания информации. Поскольку прибор калибруется в фиксированный момент времени t0, то на вычисленном по формуле (2.1) спектре пропускания, измеренном в момент времени t и выводимом на экран монитора, проявляются случайные сигналы фотоприемников: на уровне вблизи 0 % – при закрытой заслонке, на уровне 100 % – при открытой заслонке.

При измерении и расчете коэффициента поглощения исследуемой среды случайные сигналы темнового тока фотоприемников приводят к дополнительной погрешности, значение которой можно оценить только статистическими методами.

Для снижения случайной погрешности измерений в автоматизированных многоканальных спектроанализаторах применяется метод накопления сигналов. При калибровке и последующих измерениях сигналы, считанные с каждого фотоприемника за время 8 мс, усредняются по устанавливаемому числу накоплений n. При этом значение случайной ошибки измерений снижается в n1/2 раз.

2.2. Задания и указания к их выполнению Задание 2.1. Измерить спектры темнового тока при различных накоплениях.



Включить макет многоканального спектроанализатора, установить необходимый уровень экспозиции и провести калибровку прибора. Уровень экспозиции устанавливается по максимальному значению сигнала источника излучения – дейтериевой лампы ДДС-30.

Установить значение накопления сигнала n = 1, закрыть заслонку и сохранить в памяти ПК значение IT t0. Открыть заслонку и сохранить в памяти компьютера значение I 0 t0. Перейти в режим измерения коэффициента пропускания по формуле (2.1).

Измерить и записать спектр темнового тока при накоплении, равном 1, для чего закрыть заслонку и сохранить файл с шифром №бригады.– 0-1.spe.

Открыть заслонку, записать спектр 100 % сигнала и сохранить файл с шифром №бригады.– 100-1.spe.

Установить значение накопления сигнала n = 15 и повторить измерения.

Измерить и записать спектры: №бригады.– 0-15.spe и №бригады.– 100-15.spe.

  Задание 2.2. Методика обработки спектров темнового сигнала.

Обработка спектров реализуется в программе MS Excel с надстройкой Spectrum.

Записать спектры темнового тока 0-1 и 0-15 в xls-файл. Пользуясь статистическими математическими функциями программы MS Excel рассчитать средние значения m (математическое ожидание) и стандартные отклонения для n = 1 и 15. Рассчитать значение случайной ошибки измерений коэффициента пропускания T при n = 1 и 15:

T m 3. (2.2) Задание 2.3. Расчет относительной ошибки измерений и расчета коэффициента поглощения при n = 1 и 15.

Рассчитать и построить зависимость относительной ошибки измерений от значения коэффициента пропускания среды при различной длительности накопления.

Значение случайной ошибки коэффициента поглощения k по результатам измерения коэффициента пропускания (в процентах) рассчитывается из соотношения k T 100, k Tk где величина T при разных накоплениях определяется выражением (2.2).

Определить допустимый диапазон коэффициентов пропускания, в преk делах которого относительная погрешность измерений и расчетов не k превышает 10 %.

Содержание отчета

В отчете следует представить:

1. Описание методики измерения коэффициентов пропускания среды при использовании автоматизированного спектроанализатора.

2. Результаты измерений спектров пропускания темнового тока и 100 % сигнала при n = 1 и 15.

3. Результаты расчета случайной погрешности измерений коэффициента пропускания при n = 1 и 15.

4. Таблицу, содержащую пары значений коэффициент пропускания – погрешность расчета коэффициента поглощения при n = 1 и 15.

  k

5. Графики полученных зависимостей для погрешности измерений k не превышающей значения 10 %.

6. Точные границы допустимого диапазона спектрального пропускания.

Для просмотра спектров в графической форме и проведения операций с ними использовать программу Spectral Assistant 8.0.

Контрольные вопросы

1. Какова методика измерения коэффициентов пропускания при использовании автоматизированных многоканальных полихроматоров?

2. Каковы причины возникновения сигналов фотоприемников при закрытой заслонке?

3. В чем состоит метод накопления для снижения случайной погрешности измерений?

4. Каким образом рассчитывается случайная ошибка измерений при разных накоплениях?

5. Как рассчитать допустимый интервал коэффициентов пропускания для проведения измерений с заданной погрешностью?

Список рекомендуемой литературы Зайдель А. Н., Островская Г. В., Островский Ю. И. Техника и практика спектроскопии. М.: Наука, 1976.

Евтихиев Н. Н. Информационная оптика. М.: Изд-во МЭИ, 2000.

Оптико-электронные приборы для научных исследований / Под ред.

Л. А. Новицкого. М.: Машиностроение, 1986.

Мирошников М. М. Теоретические основы оптико-электронных приборов. Л.: Машиностроение, 1977.

Лабораторная работа № 3

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ

АМОРФНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Цель работы: экспериментальное исследование спектров оптического поглощения аморфных и микрокристаллических полупроводников; определение положения и формы края собственного поглощения; расчет ширины запрещенной зоны и характеристической энергии Урбаха.

 

3.1. Общие сведения 3.1.1. Энергетические состояния электронов в полупроводниках Согласно квантово-механической теории энергии стационарных состояний электронов в изолированных атомах имеют дискретные значения. Твердое тело представляет собой ансамбль огромного числа атомов, химическая связь между которыми объединяет их в кристаллическую решетку. Если бы атомы не взаимодействовали друг с другом, ансамбль из N атомов имел бы N-кратно вырожденные энергетические уровни. Взаимодействие снимает это вырождение, и дискретные уровни отдельных атомов расщепляются в энергетические зоны. Решение уравнения Шредингера в альтернативных предельных случаях – приближении сильной и приближении слабой связи – дает качественно одну и ту же картину электронного энергетического спектра кристалла. В обоих случаях разрешенные и запрещенные зоны чередуются друг с другом, а число одноэлектронных состояний в разрешенных зонах кратно числу атомов, т. е. макроскопически велико. Это свидетельствует о квазинепрерывном распределении энергетических уровней внутри разрешенных зон.

Наиболее важными в плане определения электронных свойств твердых тел являются последняя заполненная и следующая за ней зоны энергий.

Верхняя полностью заполненная при T = 0 К энергетическая зона в полупроводниках получила название валентной зоны, а следующую за ней зону называют зоной проводимости. Энергетическая щель между верхом валентной зоны EV и дном зоны проводимости Ec называется запрещенной зоной.

В чистых монокристаллах, где наблюдается трансляционная симметрия, разрешенные энергетические зоны имеют резкие границы, а в запрещенной зоне нет локализованных состояний. В аморфных и микрокристаллических полупроводниках трансляционная симметрия нарушена или отсутствует вовсе, что приводит к размытию краев зон с образованием хвостов плотности состояний и возникновению большого количества локализованных состояний в запрещенной зоне.

Ширина запрещенной зоны Eg составляет от нескольких сотых до нескольких электрон-вольт для полупроводников и свыше 6 эВ для диэлектриков. Полупроводники с шириной запрещенной зоны менее 0.3 эВ называют узкозонными, а полупроводники с шириной запрещенной зоны более 3 эВ – широкозонными.

  3.1.2. Методика измерения спектров поглощения полупроводниковых материалов в виде объемных образцов и тонких пленок Рассмотрим основные процессы, которые происходят при взаимодействии оптического излучения с полупроводником. При прохождении оптического излучения через полупроводник происходит его ослабление вследствие процессов отражения и поглощения. Пусть на плоскопараллельную пластину полупроводника падает параллельный пучок монохроматического излучения интенсивностью I 0 (рис. 3.1). Спектральный коэффициент пропускания пластины T, который может быть экспериментально измерен с помощью спектрофотометра, представляет собой отношение интенсивности прошедшего через образец излучения I к интенсивности падающего излучения I 0 :

I T.

I 0 В соответствии с законом Бугера–Ламберта и с учетом отражения от поверхностей образца коэффициент пропускания (1 R )2 exp d T. (3.1) (1 R 2 )exp 2 d n 12 R Здесь – коэффициент френелевского отражения от поверхности;

n 12 n – показатель преломления полупроводника; – коэффициент поглощения полупроводника; d – толщина образца. В области сильного поглощения многократными отражениями внутри образца можно пренебречь и выражение (3.1) существенно упрощается:

T (1 R) 2 exp d. (3.2) Коэффициент поглощения является характеристикой материала и зависит от длины волны излучения. Зависимость коэффициента поглощения от энергии фотона или длины волны излучения называют спектром поглощения. Выражение (3.2) позволяет рассчитать спектр поглощения материала по экспериментально измеренному на спектрофотометре спектру пропускания плоскопараллельного образца T.

–  –  –

I I 0 1 R exp d Рис. 3.1. Прохождение излучения через пластину полупроводника Во многих ситуациях, в частности для аморфных и микрокристаллических материалов, получение объемного образца невозможно или нецелесообразно. При этом исследуемый образец представляет собой тонкую пленку материала, нанесенную на прозрачную диэлектрическую подложку, и в эксперименте измеряется не спектр пропускания полупроводника, а спектр пропускания структуры полупроводниковая пленка – диэлектрическая подложка (рис. 3.2). В выражении для коэффициента пропускания подобных систем необходимо учитывать френелевское отражение от трех границ раздела: воздух–пленка ( R1 ), пленка–подложка ( R2 ), подложка–воздух ( R3 ):

I0 RI0

–  –  –

ns 12 где n f – показатель преломления материала пленки; ns – показатель преломления материала подложки.

Выражение (3.3) записано для случая, когда подложка не поглощает излучение в рабочей спектральной области и эффектами многократного отражения можно пренебречь.

3.1.3. Механизмы оптического поглощения в полупроводниках.

Определение ширины запрещенной зоны по спектрам поглощения

В полупроводниках различают 5 основных механизмов оптического поглощения:

– собственное (фундаментальное);

– экситонное;

– поглощение свободными носителями;

– примесное;

– решеточное.

В ультрафиолетовой (УФ), видимой и ближней инфракрасной (ИК) областях спектра доминирующим является собственное (фундаментальное) поглощение, обусловленное переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Экситонное поглощение связано с образованием экситонов – квазичастиц, представляющих собой связанные состояния электронов и дырок; оно наблюдается только в особо чистых полупроводниках при низких температурах. Поглощение свободными носителями, примесное поглощение и решеточное поглощение проявляются в ИК- и дальней ИК-областях.

При взаимодействии электронов полупроводника с электромагнитным излучением должны выполняться 2 закона: закон сохранения энергии и закон сохранения квазиимпульса:

E E, p p k, где E, p – энергия и квазиимпульс электрона до взаимодействия с фотоном;

E, p – энергия и квазиимпульс после взаимодействия; – энергия фотона;

k – импульс фотона. Импульс фотона очень мал по сравнению с квазиимпульсом электрона, поэтому им можно пренебречь, так что p = p. Последнее соотношение показывает, что при взаимодействии электрона в кристалле с   полем излучения возможны только такие переходы, при которых квазиимпульс (волновой вектор) электрона сохраняется. Эти переходы принято называть вертикальными, или прямыми.

При изучении собственного поглощения полупроводника следует учитывать особенности его зонной структуры. Полупроводники можно разделить на две группы, в которых механизмы межзонных переходов существенно различаются. В прямозонных полупроводниках экстремумы валентной зоны и зоны проводимости расположены в одной и той же точке зоны Бриллюэна, обычно в точке k = 0, что обеспечивает выполнение закона сохранения квазиимпульса.

К прямозонным полупроводникам относятся такие широко используемые материалы, как арсенид галлия, нитрид галлия, антимонид индия и ряд других.

Если матричный элемент перехода отличен от нуля в первом порядке теории возмущений, то такой переход называют разрешенным. На рис. 3.3, а показаны прямые разрешенные переходы. Для полупроводников, у которых зона проводимости и валентная зона обладают сферической симметрией, коэффициент собственного поглощения для прямых разрешенных переходов выражается формулой

–  –  –

  В непрямозонных полупроводниках, к которым принадлежат кремний и германий, экстремумы валентной зоны и зоны проводимости расположены в разных точках зоны Бриллюэна (рис. 3.3, б). Выполнение закона сохранения квазиимпульса в этом случае обеспечивается за счет участия в процессе третьей частицы – фонона. Непрямые переходы могут происходить как с поглощением, так и с испусканием фонона; зависимость коэффициента поглощения от энергии фотона при этом разделяется на две ветви:

–  –  –

  осью позволяет определить Eg (рис. 3.4, а). В случае непрямых переходов следует построить график f, на котором присутствует 2 линейных участка, соответствующих переходам с поглощением и испусканием фотона, и экстраполировать их до пересечения с осью абсцисс. Ширина запрещенной зоны в этом случае определяется по средней точке отрезка, ограниченного точками пересечения экстраполирующих прямых с осью абсцисс (рис. 3.4, б).

В аморфных и микрокристаллических полупроводниках трансляционная симметрия существенно нарушена или отсутствует совсем, что приводит к существенному изменению характера зависимости f и искажению формы края собственного поглощения по сравсм–1 нению с соответствующими монокристаллическими материалами. На рис. 3.5 приведен при- 104 мер спектра аморфного (стеклообразного) полупроводника.

В области энергий, превышающих ширину за

–  –  –

  По сравнению с соответствующими монокристаллами край собственного поглощения аморфных полупроводников сдвинут в область меньших длин волн. При этом, чем меньше степень упорядоченности материала, тем данный сдвиг больше.

Для определения ширины запрещенной зоны аморфного полупроводника в соответствии с выражением (3.6) необходимо построить график зависимости f, выделить на нем линейный участок и экстраполировать его до пересечения с осью абсцисс; точка пересечения прямой с осью соответствует Eg.

Для нахождения характеристической энергии Урбаха E0 необходимо построить график зависимости f в полулогарифмическом масштабе.

В области хвоста Урбаха ( Eg ) в соответствии с выражением (3.7) завиE g симость принимает вид lg f lg 0, что позволяет найти E0 E0 по углу наклона линейного участка кривой.

3.1.4. Способы уменьшения потерь излучения на френелевское отражение на границах раздела Коэффициент френелевского отражения от границы раздела двух сред с показателями преломления n1 и n2 может быть рассчитан по формуле n1 n2 2.

R В частности, коэффициент отражения от границы воздух– n1 n2 2 стекло ( n 1.5 ) составляет 4 %, от границы воздух–кремний ( n 3.5 ) – 30 %.

Как следует из выражений (3.2), (3.3), если не принимать специальных мер, в оптоэлектронных приборах на основе тонких пленок полупроводников потери излучения на отражение от границ раздела могут достигать десятков процентов. Для уменьшения таких потерь применяют диэлектрические интерференционные покрытия, которые обычно называют просветляющими.

Простейшее просветляющее покрытие представляет собой диэлектрическую пленку толщиной в четверть длины волны d, при этом коэффициент отражения от границы раздела

–  –  –

  где n0 – показатель преломления покрытия; n1, n2 – показатели преломления сред, формирующих границу.

При условии, что коэффициент преломления просветляющей пленки n n1n2, лучи, отраженные от ее наружной и внутренней сторон, погасятся вследствие интерференции и коэффициент отражения обратится в ноль. Это не всегда реализуемо на практике, так как сложно подобрать материал с заданным показателем преломления, который одновременно удовлетворяет всем технологическим требованиям, однако даже однослойные покрытия на оптическом стекле позволяют уменьшит потери в 3–4 раза. Лучший эффект дают многослойные просветляющие покрытия.

3.2. Описание установки Оптическая схема спектрофотометра, используемого в данной работе, полностью аналогична схеме макета, детально рассмотренного в работе 1.

В отличие от макета прибор полностью автоматизирован, имеет оптический затвор с электромагнитным приводом для прерывания пучка в момент измерения темнового сигнала ПЗС, а также снабжен кареткой на 3 позиции для автоматической смены образцов.

Технические характеристики спектрофотометра Рабочий спектральный диапазон 180…660 нм

0.2 нм Спектральное разрешение Дифракционная решетка Вогнутая, число штрихов N1 = 300 шт/мм;

угол блеска = 1.7;

радиус кривизны R = 250 мм;

высота штриха H = 25 мм Источник излучения Дейтериевая лампа ДНМ-15 Фотоприемник ПЗС (3648 пикселей), неохлаждаемый Время регистрации одного спектра От 8 мс до 2 с Внешний интерфейс USB Питание 220 В, 50 Гц Управление спектрофотометром реализуется с помощью специализированного программного обеспечения в среде MS Windows, подключение к ПК осуществляется по USB-интерфейсу. Подробные характеристики прибора приведены в таблице. Описание программного обеспечения содержится в прил. 2.

3.3. Задания и указания к их выполнению Объектами исследования в работе служат образец оптического стекла с высоким качеством полировки поверхностей, которое служит подложкой для нанесения тонких пленок аморфного кремния при изготовлении солнечных   элементов, а также несколько образцов тонких пленок различных полупроводниковых материалов (по заданию преподавателя).

Задание 3.1.

Измерение спектров пропускания исследуемых образцов.

Включить питание спектрофотометра, дать прибору прогреться не менее 15 мин. Провести автоматическую калибровку прибора. Перейти в режим измерения пропускания.

Последовательно устанавливать в пучок исследуемые образцы, наблюдать спектры пропускания, сохранить спектры в файле.

Задание 3.2.

Расчет спектров поглощения исследуемых материалов.

Импортировать спектры в книгу MS Excel (см. П. 1.4). Построить графики зависимости T для всех исследуемых образцов.

Пользуясь данными о показателях преломления исследуемых сред, рассчитать коэффициенты френелевского отражения от границ раздела в исследуемых образцах.

Рассчитать коэффициент поглощения на каждой длине волны. При расчете для объемных образцов использовать выражение (3.2), для тонких пленок на подложке – выражение (3.3).

Построить графики зависимости для всех исследуемых образцов.

1.24 Для нахождения энергии фотона использовать расчетную формулу, где – длина волны в мкм.

Задание 3.3.

Оценка потерь на отражение от границ раздела.

По графику зависимости T найти коэффициент пропускания образца оптического стекла в области прозрачности материала, оценить потери на отражение от границ раздела. Расчетным путем определить, насколько уменьшатся потери на отражение при нанесении однослойного просветляющего покрытия на основе пленки NaF (n = 1.33).

Оценить как уменьшится коэффициент отражения от поверхности кремния (n = 3.51) при нанесении однослойного просветляющего покрытия на основе пленки SiO2 (n = 1.45).

Задание 3.4.

Определение ширины запрещенной зоны и характеристической энергии Урбаха.

Для каждого из образцов, включая оптическое стекло, построить графики зависимости f, выделить линейные участки и экстраполировать их до пересечения с осью абсцисс. Определить ширину запрещенной зоны Eg в соответствии с описанной методикой.

  Построить графики lg f E g, выделить линейные участки и аппроксимировать их линейными функциями. По углу наклона аппроксимирующих прямых определить характеристическую энергию Урбаха E0.

Примечание. При построении графиков в MS Excel необходимо самостоятельно задать длину волны и энергию фотона для каждого спектрального канала прибора, используя данные о границах рабочего спектрального диапазона 0 N и числе каналов ПЗС N, которые приведены на лабораторном стенде. Расчет проводить по формуле n 0 n N, N 1 где n – длина волны, соответствующая n-му спектральному каналу; n – номер канала.

Содержание отчета

В отчете следует представить:

1. Схему измерительной установки.

2. Спектры пропускания T и поглощения исследуемых образцов.

3. Оценку потерь на отражение на границах раздела и возможностей их уменьшения путем нанесения просветляющих покрытий.

4. Графики зависимостей 1 2 f, lg f и результаты определения ширины запрещенной зоны и характеристической энергии Урбаха.

Контрольные вопросы

1. Какие существуют экспериментальные методы определения ширины запрещенной зоны?

2. Как рассчитать зависимость коэффициента поглощения полупроводника от длины волны по спектру пропускания T плоскопараллельного образца?

3. Как рассчитать зависимость коэффициента поглощения полупроводника от длины волны по спектру пропускания T тонкой пленки материала на прозрачной подложке?

4. Каковы особенности собственного поглощения в прямозонных и непрямозонных полупроводниках?

5. Каковы особенности оптического поглощения в аморфных полупроводниках?

 

6. Пояснить алгоритм определения ширины запрещенной зоны из зависимости для разных видов полупроводников.

Список рекомендуемой литературы Шалимова К. В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985.

Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977.

Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. М.:

Металлургия, 1986.

Лабораторная работа № 4

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ И ТОНКОСЛОЙНЫХ

ПОКРЫТИЙ МЕТОДОМ ОТРАЖАТЕЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ

Цель работы: изучение методики определения характеристик поверхностей и тонких пленок по данным эллипсометрических измерений.

4.1. Общие сведения Специфика полупроводниковой технологии требует применения оперативных, локальных, безотказных и неразрушающих методов контроля, исключающих загрязнение и повреждение даже очень малых областей микроэлектронных структур. С этой точки зрения наиболее удобны и перспективны оптические методы. Указанным требованиям удовлетворяет эллипсометрический метод как один из самых точных и чувствительных методов контроля поверхностей и тонкослойных структур.

Эллипсометрия – это оптический метод измерения, основанный на анализе изменения эллипса поляризации пучка поляризованного света при его отражении от исследуемого объекта. Метод применяется для исследования состояния поверхности, явлений на границе раздела двух фаз, структуры тонких поверхностных слоев и определения их толщины и показателя преломления, может выступать эффективным инструментом технологического контроля, исследования кинетики роста и травления пленок (толщиной от долей нанометров до 10 мкм).

4.2. Эллипсометрические углы. Основное уравнение эллипсометрии Эллиптически поляризованный луч можно представить в виде наложения лучей, поляризованных линейно во взаимно перпендикулярных плоскостях:

–  –  –

  Конкретное аналитическое выражение коэффициентов Френеля через характеристики исследуемой отражающей системы зависит от выбора той или иной модели поверхности или структуры. Основное уравнение эллипсометрии позволяет для известных параметров структуры определить эллипсометрические углы (прямая задача), а также по экспериментально измеренным углам и в рамках выбранной модели вычислить параметры исследуемой системы (например, определить толщину и показатель преломления пленки на подложке с известными характеристиками). Как правило, комплексное основное уравнение эллипсометрии (реально – система трансцендентных уравнений) решается численными методами с помощью современной быстродействующей вычислительной техники.

4.3. Модели исследуемых систем и коэффициенты Френеля Решение обратной задачи эллипсометрии – всегда решение приближенное, так как получается оно в рамках определенной выбранной модели. В реальной практике научных и инженерных исследований никогда не сталкиваются, например, с идеальными атомно-гладкими поверхностями (имеются неровности или шероховатость), с совершенно однородными телами и слоями (существует, например, неоднородное по площади поверхности или по объему распределение коэффициента преломления, неравномерность толщины пленочных покрытий), с чисто изотропными твердотельными объектами (существуют остаточные напряжения). В эллипсометрических исследованиях наиболее широко применяется модель слоистой структуры – системы плоскопараллельных слоев на подложке. Для описания структур типа подложка – слой при достаточно резкой границе используется однослойная модель, в случае же протяженных переходных слоев – многослойная модель, например двухслойная и т. д. С увеличением числа параметров структуры растет адекватность описания исследуемого объекта, но одновременно повышается сложность решения обратной задачи эллипсометрии и чувствительность к погрешностям измерения углов и.

В простейшем случае для чистой плоской поверхности изотропного материала с коэффициентом преломления N 0 n0 ik0, находящегося во внешней среде N1 n1 ik1, используются коэффициенты Френеля n cos 1 n1 cos 0 n cos 1 n0 cos 0 RP 0, RS 1. (4.2) n0 cos 1 n1 cos 0 n1 cos 1 n0 cos 0

–  –  –

Аналогичный, но немного более сложный вид имеют выражения для RP и RS в случае нескольких слоев на поверхности или анизотропных структур [2].

Существуют специальные методики определения шероховатости границы раздела сред с известными оптическими параметрами по эллипсометрическим измерениям [3].

4.4. Эллипсометрические углы для различных типов структур Эллипсометрические углы принимают различные значения в зависимости от типа структуры.

, …

–  –  –

  Поверхность. Пусть k0 k1 0 (поглощение отсутствует, обе среды прозрачные). В соответствии с уравнениями (4.1) и (4.2) величина – действительная, в связи с чем угол должен принимать только значения 0 и 180° (рис. 4.3). Однако в реальности такие идеальные случаи практически не встречаются: существует малое, но все же конечное поглощение, а отражающая поверхность не абсолютно ровная и не является точкой ступенчатого изменения показателя преломления. Поэтому зависимость углов и от угла падения несколько отличается от ступенчатой (см. пунктирную линию на рис. 4.3).

Пусть k j 0 (имеется поглощение). Перепад значений в зависимости от угла падения делается плавным, а зависимость 2 приобретает вид минимума ненулевого характера. Соответствующий этому минимуму угол падения (а при определенных сочетаниях параметров сред и слоя этот минимум может и отсутствовать) правильнее называть квазиуглом Брюстера.

Изотропный слой на поверхности.,, Зависимость углов и от угла паде- 360 ния определяют (рис. 4.4) 3 фактора:

а) значения угла падения луча на отраn1 n0 жающую поверхность i (по отноше- d d 1 2 нию к углу Брюстера Бр; б) соотноше

–  –  –

  Исключение составляют случаи, когда толщина пленки на поверхности очень близка к своего рода периоду толщины – той толщине, при которой фазовая толщина 2. При этом значения углов и соответствуют чистой поверхности. Если слой прозрачен, то эллипсометрические углы являются периодическими функциями его толщины, которую можно определить из эллипсометрических измерений только с точностью до ее периода d0. (Например, для слоя термического оксида на кремнии при угле падения 55 она составляет приблизительно 130 нм) Значение угла зависит от номера «периода» толщины: если он нечетный, то 0180, если четный – 180360.

4.5. Оптическая схема эллипсометра. Определение эллипсометрических углов Источником монохроматического когерентного излучения в эллипсометре является лазерный генератор LG (рис. 4.5). Первая четвертьволновая пластина 4 устанавливается в такой ориентации, чтобы преобразовывать линейно-поляризованное излучение лазера в циркулярно-поляризованное.

Последнее позволяет с помощью вращающегося поляризатора P получать линейно-поляризованное излучение произвольной ориентации. Назначение второй, вращающейся пластины 4, называемой компенсатором С, – превращение выходящей из поляризатора линейно-поляризованной волны в такую эллиптическую, которая, будучи отраженной oт исследуемой поверхности, превращалась бы вновь в линейно-поляризованную. Расположенный вслед за отражающим образцом S анализатор А служит для определения ориентации вновь полученной линейно-поляризованной волны путем ее гашения при фиксации минимума интенсивности выходящего оптического сигнала с помощью фотоприемного устройства PR.



Pages:   || 2 |
Похожие работы:

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ САМАРСКОЙ ОБЛАСТИ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ СРЕДНЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ТОЛЬЯТТИНСКИЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ТЕХНИКУМ Методические указания к выполнению практических занятий учебной дисциплины ЕН.03 Экологические основы природопользования для специальности 210414 Техническое обслуживание и ремонт радиоэлектронной техники (по отраслям) Тольятти 2014 г. «Утверждаю» Заместитель директора по учебной работе ГАОУ СПО ТЭТ _Т.А. Серова...»

«Н. Х. САВЕЛЬЕВА НЕМЕЦКИЙ ЯЗЫК DEUTSCH Учебно-методическое пособие Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина Н. Х. Савельева НЕМЕЦКИЙ ЯЗЫК Deutsch Учебно-методическое пособие Рекомендовано методическим советом УрФУ для студентов 1 курса заочного отделения технических специальностей 150400 «Металлургия», 190100 «Наземные транспортно-технологические комплексы», 270800 «Строительство», 240100 «Химическая...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ САМАРСКОЙ ОБЛАСТИ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ СРЕДНЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ТОЛЬЯТТИНСКИЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ТЕХНИКУМ Методические указания к выполнению практических занятий учебной дисциплины ОДБ.06 Химия для специальности 23.02.03 Техническое обслуживание и ремонт автомобильного транспорта для специальности 11.02.02 Техническое обслуживание и ремонт радиоэлектронной техники (по отраслям) для специальности 13.02.11 Техническая...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” имени В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ) Учебно-методическое обеспечение для подготовки кадров по программам высшего профессионального образования для тематического направления ННС «Нанотехнологии для систем безопасности» Примерная основная образовательная программа высшего профессионального образования...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики, электротехники и автоматики Лабораторные работы 4–5 ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ СХЕМЫ (ЭЛЕКТРОННЫЕ АВТОМАТИЧЕСКИЕ МОСТЫ, ПОТЕНЦИОМЕТРЫ И ЛОГОМЕТРЫ) Методические указания к лабораторным работам для студентов всех форм обучения по направлениям подготовки: 270800.62 «Строительство», 230400.62 «Информационные системы и технологии», 280700.62 «Техносферная безопасность» Казань УДК...»

«СОДЕРЖАНИЕ ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ.. 1.1 Основная образовательная программа высшего профессионального образования (ООП ВПО) магистратуры, реализуемая ФГБОУ ВПО АЧГАА по направлению подготовки 140400.68 «Электроэнергетика и электротехника». 1.2 Нормативные документы для разработки ООП ВПО по направлению подготовки.. 6 1.3 Общая характеристика вузовской основной образовательной программы высшего профессионального образования (магистратура) 1.3.1 Социальная роль, цели и задачи ООП ВПО. 7 1.3.2 Срок...»

«КАФЕДРА «ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ» В ГОД 80-ЛЕТИЯ Екатеринбург УДК ББК К30 К30 Кафедра «Электротехника и электротехнологические системы» в год 80-летия / ФГАОУ ВПО «УрФУ им. первого Президента России Б. Н. Ельцина»; сост. Ф.Е. Тарасов. — Екатеринбург: Издательство АМБ, 2015. – ?? с. УДК ББК © ФГАОУ ВПО «УрФУ им. первого Президента России Б. Н. Ельцина», 2015 © Оформление. Издательство АМБ, 2015 ВВЕДЕНИЕ В предлагаемом читателю издании приводятся краткие сведения о...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный архитектурно-строительный университет Факультет Лесотехнический Кафедра электротехники и автоматики УТВЕРЖДАЮ Проректор по УР Дзюбо В.В. _ 20_ г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Б3.В2.2 – ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕ, ЭЛЕТРОПРИВОД И АВТОМАТИКА СТРОИТЕЛЬНЫХ МАЩИН Направление подготовки бакалавра 270800 «Строительство». Учебный план 10-1234Профиль подготовки «Механизация и автоматизация строительства» Форма обучения очная ЗЕТ...»

«Бюллетень новых поступлений за первый квартал 2015 года Вычислительная техника и программирование. Автоматика. Электротехника.Web-программирование. Курсовая работа : 1. 004.4(075) Методические указания/УГТУ; Сост.: С. М. В26 Мартюшев, Н.Н. Лапина. Ухта: УГТУ, 2013. с.Количество экз.:5 Web-программирование. Лабораторный 2. 004.4(075) практикум: Методические указания / УГТУ; В26 Сост.: С.М. Мартюшев, Н.Н. Лапина. Ухта: УГТУ, 2013. 30 с. Количество экз.:5 Количественные методы: Методические 3....»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра автоматики и электротехники ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАШИНЫ Методические указания к лабораторным работам для студентов направлений подготовки: «Архитектура», «Строительство», «Технология транспортных процессов», «Информационные системы и технологии», «Техносферная безопасность», «Профессиональное обучение», всех форм обучения Казань УДК 621.313 ББК 31.26 Е30 Е30 Электрические...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ ФГБОУ ВПО «Брянский государственный технический университет» Факультет энергетики и электроники Кафедра «Электронные, радиоэлектронные и электротехнические системы» УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС по дисциплине: «Метрология и радиоизмерения» Код и название направления подготовки: 210400 – «Радиотехника» Профили (магистерская программа, специализация) Квалификация (степень) выпускника: бакалавр Форма обучения: очная Брянск 2015 ОГЛАВЛЕНИЕ РАБОЧАЯ ПРОГРАММА..5...»

«ДИАГНОСТИКА ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТАНЦИЙ И ПОДСТАНЦИЙ Учебное пособие Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина Диагностика электрооборуДования электрических станций и поДстанций Учебное пособие Рекомендовано методическим советом УрФУ для студентов, обучающихся по направлению 140400 — Электроэнергетика и электротехника Екатеринбург Издательство Уральского университета УДК...»

«Утверждаю Ректор С. Н. Мордалимов «_» 2015 г. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ВЫПУСКНОЙ КВАЛИФИКАЦИОННОЙ РАБОТЫ БАКАЛАВРА Направление:140400 электроэнергетика и электротехника Квалификация выпускника: бакалавр Форма обучения заочная 1. Цель и задачи выпускной квалификационной работы бакалавра Целью подготовки и защиты квалификационной работы бакалавра является подтверждение соответствия приобретенных выпускником в высшем учебном заведении знаний, умений и компетенций цели и требованиям...»

«Наименование Автор Год Издательство Ермуратский П. В., Лычкина Г. 1 Электротехника и электроника 978-5-94074-688-1 П., Минкин Ю. Б. 2011 Москва:ДМК Пресс Киреева Г.И., Курушин В.Д., Мосягин А.Б., Нечаев Д.Ю., 2 Основы информационных технологий 978-5-94074-458-0 Чекмарев Ю.В. 2009 Москва:ДМК Пресс Администрирование 3 структурированных кабельных систем. 978-5-94074-431-3 Семенов А.Б. 2011 Москва:ДМК Пресс Волоконно-оптические подсистемы 4 современных СКС 5-98453-025-2 Семенов А. Б. 2007...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ САМАРСКОЙ ОБЛАСТИ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ СРЕДНЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ТОЛЬЯТТИНСКИЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ТЕХНИКУМ МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ПРАКТИЧЕСКИ РАБОТ По дисциплине: Информатика и ИКТ Для специальностей: 23.02.03 Техническое обслуживание и ремонт автомобильного транспорта 11.02.02 Техническое обслуживание и ремонт радиоэлектронной техники (по отраслям) 13.02.11 Техническая эксплуатация и обслуживание...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Сибирский федеральный университет Саяно-Шушенский филиал СФУ УТВЕРЖДАЮ Ректор СФУ _Е.А.Ваганов «_»_2014 г. _ номер внутривузовской регистрации Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление 140400.68 Электроэнергетика и электротехника Магистерская программа 140400.68.06 Гидроэлектростанции Квалификация...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации ФГАОУ ВО «Крымский федеральный университет имени В.И.Вернадского» «Утверждаю» Проректор по учебной и методической деятельности В. О. Курьянов «»2015 года ПРОГРАММА вступительного испытания в магистратуру направление подготовки 13.04.02 «Электроэнергетика и электротехника» профиль «Нетрадиционные и возобновляемые источники энергии» Симферополь 2015 г. Разработчики программы: Сокут Л.Д., Воскресенская С.Н., Химич А.П. Обсуждена на заседании...»

«Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по выполнению дополнительного раздела Информационный маркетинг при выполнении выпускной квалификационной работы Санкт-Петербург СОДЕРЖАНИЕ Общие положения Проведение предпроектных исследований Определение затрат на выполнение и внедрение проекта и расчет цены.. 5 Расчет показателей конкурентоспособности разработанной продукции..13 Предложения по продвижению (promotion)...»

«Бюллетень новых поступлений за первый квартал 2015 года Вычислительная техника и программирование. Автоматика. Электротехника.Web-программирование. Курсовая работа : 1. 004.4(075) Методические указания/УГТУ; Сост.: С. М. В26 Мартюшев, Н.Н. Лапина. Ухта: УГТУ, 2013. с.Количество экз.:5 Web-программирование. Лабораторный 2. 004.4(075) практикум: Методические указания / УГТУ; В26 Сост.: С.М. Мартюшев, Н.Н. Лапина. Ухта: УГТУ, 2013. 30 с. Количество экз.:5 Количественные методы: Методические 3....»

«ДИАГНОСТИКА ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТАНЦИЙ И ПОДСТАНЦИЙ Учебное пособие Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина Диагностика электрооборуДования электрических станций и поДстанций Учебное пособие Рекомендовано методическим советом УрФУ для студентов, обучающихся по направлению 140400 — Электроэнергетика и электротехника Екатеринбург Издательство Уральского университета УДК...»





Загрузка...




 
2016 www.metodichka.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Методички, методические указания, пособия»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.